2026.01.16
我が国における最先端の半導体および集積エレクトロニクス技術に関する最新動向の共有とネットワークを築く場の提供、ならびに本学で来年度から開始予定の「集積エレクトロニクス」に関する「リスキリング」プログラムを通した「人材育成」を紹介するシンポジウムです。ぜひご参加ください。
シンポジウム概要
日時 ：2026年2月18日（水）13:00～17:00 ※17:10～18:45にて懇親会を開催します
住所 ：横浜市西区みなとみらい5-1-1 横浜グランゲート 2階
参加費：無料
定 員：100名
プログラム
| 13:00-13:05 開会挨拶 梅原 出 横浜国立大学 学長 |
| 13:05-13:10 挨拶 真鍋 誠司 SQIE研究センター長 |
| 13:10-13:55 特別講演1 「半導体集積デバイス技術の基礎と進化」 高木信一 帝京大学先端総合研究機構 |
| 13:55-14:40 特別講演2 「メンブレン化合物半導体デバイスを用いた光電融合デバイス」 松尾慎治 NTT先端集積デバイス研究所 |
| 14:40-14:50 講演 「半導体リスキリングプログラムについて」 荒川太郎 SQIE研究センター |
| 15:05-15:40 招待講演1 「ノーベル物理学賞から見える次世代半導体・超電導エレクトロニクス」 吉川信行 SQIE研究センター |
| 15:40-16:15 招待講演2 「極限性能から再設計する超低消費電力エレクトロニクス」 西口克彦 SQIE研究センター |
| 16:15-16:50 招待講演3 「次世代半導体を支える「後工程」技術の今」 井上史大 SQIE研究センター |
| 16:50-16:55 閉会挨拶 為近恵美 SQIE研究センター |
| 懇親会 17:10-18:45 ※講演会終了後すぐ |
